Hersteller Produktnummer:
QS8J11TCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QS8J11TCR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventar:
13525231
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QS8J11TCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600pF @ 6V
Leistung - Max
550mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT8
Basis-Produktnummer
QS8J11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
QS8J11TCRDKR
QS8J11TCRTR
QS8J11TCRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
QS8J2TR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7544
TEILNUMMER
QS8J2TR-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
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ECH8654-TL-H
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