Hersteller Produktnummer:
QS6J11TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QS6J11TR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
4607 Stück Neu Original Auf Lager
13525337
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QS6J11TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
770pF @ 6V
Leistung - Max
600mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Basis-Produktnummer
QS6J11
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
QS6J11TRDKR
QS6J11CT
QS6J11TRCT
QS6J11TRCT-ND
QS6J11TRDKR-ND
QS6J11DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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