QS6M3TR
Hersteller Produktnummer:

QS6M3TR

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

QS6M3TR-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Inventar:

25351 Stück Neu Original Auf Lager
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QS6M3TR Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V, 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
80pF @ 10V
Leistung - Max
1.25W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Basis-Produktnummer
QS6M3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
Q4042077
QS6M3CT
QS6M3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SI3590DV-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
16983
TEILNUMMER
SI3590DV-T1-E3-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
Similar
Teilenummer
FDC6321C
HERSTELLER
onsemi
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32350
TEILNUMMER
FDC6321C-DG
Einheitspreis
0.16
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Teilenummer
SI3552DV-T1-GE3
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Vishay Siliconix
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1817
TEILNUMMER
SI3552DV-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.24
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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