Hersteller Produktnummer:
IMD23T108
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
IMD23T108-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventar:
13525027
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IMD23T108 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
1kOhms, 10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms, 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V / 30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 2.5mA / 300mV @ 10mA, 500µA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Frequenz - Übergang
200MHz, 250MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SMT6
Basis-Produktnummer
IMD23
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN4603(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN4603(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.04
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