Hersteller Produktnummer:
UMB10NTN
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
UMB10NTN-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Inventar:
2629 Stück Neu Original Auf Lager
13525038
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UMB10NTN Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
UMT6
Basis-Produktnummer
UMB10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
UMB10NTNDKR
UMB10NTNCT
UMB10NTNTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PUMB3,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
2030
TEILNUMMER
PUMB3,115-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
PUMB1,135
HERSTELLER
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PUMB1,135-DG
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Direct
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