Hersteller Produktnummer:
STP80N600K6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP80N600K6-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
44 Stück Neu Original Auf Lager
13000717
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STP80N600K6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
540 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-STP80N600K6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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