DTD523YETL
Hersteller Produktnummer:

DTD523YETL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTD523YETL-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount EMT3

Inventar:

223 Stück Neu Original Auf Lager
13523274
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DTD523YETL Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
260 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Basis-Produktnummer
DTD523

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
EMT3 DTR Reliability Test
Datenblätter
DTD523YE DTA114EEFRA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTD523YETLCT
DTD523YETLDKR
DTD523YETLTR
DTD523YETL-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
rohm-semi

DTD743EMT2L

TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3

rohm-semi

DTD114ESTP

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT

rohm-semi

DTA143EUBHZGTL

TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F

rohm-semi

DTC124XCAHZGT116

TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3