DTD114ESTP
Hersteller Produktnummer:

DTD114ESTP

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTD114ESTP-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole SPT

Inventar:

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13523278
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DTD114ESTP Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
SC-72 Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
SPT
Basis-Produktnummer
DTD114

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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