DTD123TCT116
Hersteller Produktnummer:

DTD123TCT116

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTD123TCT116-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SST3

Inventar:

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13523287
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DTD123TCT116 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Basis-Produktnummer
DTD123

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DTD123TCT116 SOT-23 T116 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTD123TCT116TR
DTD123TCMGT116
DTD123TCT116CT
DTD123TCT116DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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