Hersteller Produktnummer:
DTC123YU3HZGT106
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTC123YU3HZGT106-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Inventar:
5650 Stück Neu Original Auf Lager
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DTC123YU3HZGT106 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3
Basis-Produktnummer
DTC123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTC123YU3HZGT106TR
DTC123YU3HZGT106TRND
DTC123YU3HZGT106CT
DTC123YU3HZGT106DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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