DTA114WKAT146
Hersteller Produktnummer:

DTA114WKAT146

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTA114WKAT146-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SMT3

Inventar:

1706 Stück Neu Original Auf Lager
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DTA114WKAT146 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
24 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SMT3
Basis-Produktnummer
DTA114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DTA114WKA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTA114WKAT146TR
DTA114WKAT146DKR
DTA114WKAT146-ND
DTA114WKAT146CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
RN2417(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
2651
TEILNUMMER
RN2417(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
PDTA114YT,215
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0.02
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
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cr
certification_015
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esd
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