DTC123ECAT116
Hersteller Produktnummer:

DTC123ECAT116

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTC123ECAT116-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SST3

Inventar:

2939 Stück Neu Original Auf Lager
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DTC123ECAT116 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Basis-Produktnummer
DTC123

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DTC123ECAT116 SOT-23 T116 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTC123ECAMGT116
DTC123ECAT116DKR
DTC123ECAT116TR
DTC123ECAT116CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
PDTC123ET,215
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
20221
TEILNUMMER
PDTC123ET,215-DG
Einheitspreis
0.02
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certification_015
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