Hersteller Produktnummer:
DTC114EEFRATL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTC114EEFRATL-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Inventar:
7368 Stück Neu Original Auf Lager
13524003
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DTC114EEFRATL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500nA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Basis-Produktnummer
DTC114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-DTC114EEFRATLCT
846-DTC114EEFRATLDKR
DTC114EEFRATL-ND
846-DTC114EEFRATLTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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