Hersteller Produktnummer:
BSS84XHZGG2CR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
BSS84XHZGG2CR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Inventar:
4070 Stück Neu Original Auf Lager
12948441
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EINREICHEN
BSS84XHZGG2CR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
34 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010-3W
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
BSS84
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
846-BSS84XHZGG2CRTR
846-BSS84XHZGG2CRCT
846-BSS84XHZGG2CRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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