Hersteller Produktnummer:
RV8C010UNHZGG2CR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RV8C010UNHZGG2CR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1W Surface Mount DFN1010-3W
Inventar:
5842 Stück Neu Original Auf Lager
12948488
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RV8C010UNHZGG2CR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010-3W
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
RV8C010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
846-RV8C010UNHZGG2CRCT
846-RV8C010UNHZGG2CRDKR
846-RV8C010UNHZGG2CRTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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