Hersteller Produktnummer:
BSM180D12P2C101
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
BSM180D12P2C101-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
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BSM180D12P2C101 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 35.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
23000pF @ 10V
Leistung - Max
1130W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
Module
Basis-Produktnummer
BSM180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
12
Andere Namen
Q7641253A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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