Hersteller Produktnummer:
HP8M31TB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
HP8M31TB1-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 8.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
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13524089
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HP8M31TB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Leistung - Max
3W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Basis-Produktnummer
HP8M31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
HP8M31TB1DKR
HP8M31TB1TR
HP8M31TB1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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