Hersteller Produktnummer:
BSM180C12P3C202
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
BSM180C12P3C202-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
Inventar:
11 Stück Neu Original Auf Lager
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BSM180C12P3C202 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 50mA
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
880W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Module
Paket / Koffer
Module
Basis-Produktnummer
BSM180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
12
Andere Namen
846-BSM180C12P3C202
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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