Hersteller Produktnummer:
IMBF170R650M1XTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMBF170R650M1XTMA1-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 7.4A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13
Inventar:
1478 Stück Neu Original Auf Lager
12937643
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IMBF170R650M1XTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
12V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.5A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 1.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 12 V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
422 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
88W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-13
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
IMBF170
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IMBF170R650M1XTMA1CT
448-IMBF170R650M1XTMA1TR
448-IMBF170R650M1XTMA1DKR
SP002739686
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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