Hersteller Produktnummer:
2SK3019TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
2SK3019TL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventar:
65890 Stück Neu Original Auf Lager
13522075
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2SK3019TL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13 pF @ 5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer
2SK3019
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SK3019TLTR
2SK3019TLDKR
Q5043600
2SK3019TLCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RE1C001UNTCL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
21587
TEILNUMMER
RE1C001UNTCL-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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