Hersteller Produktnummer:
ES6U1T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
ES6U1T2R-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventar:
8330 Stück Neu Original Auf Lager
13523142
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ES6U1T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
290 pF @ 6 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-WEMT
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
ES6U1T2RCT
ES6U1T2RDKR
ES6U1T2RTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SSM6G18NU,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3925
TEILNUMMER
SSM6G18NU,LF-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
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