NP90N04VUG-E1-AY
Hersteller Produktnummer:

NP90N04VUG-E1-AY

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

NP90N04VUG-E1-AY-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

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NP90N04VUG-E1-AY Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta), 105W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NP90N04VUG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NP90N04VUGE1AY
NP90N04VUG-E1-AYTR
NP90N04VUG-E1-AYDKR
NP90N04VUG-E1-AYCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IPD90N04S4L04ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPD90N04S4L04ATMA1-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
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Teilenummer
IPD038N06N3GATMA1
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Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2492
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IPD038N06N3GATMA1-DG
Einheitspreis
0.76
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FDD86540
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Einheitspreis
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