Hersteller Produktnummer:
IPD038N06N3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD038N06N3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
2492 Stück Neu Original Auf Lager
12804489
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EINREICHEN
IPD038N06N3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD038
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD038N06N3GATMA1CT
2156-IPD038N06N3GATMA1
SP000397994
IFEINFIPD038N06N3GATMA1
IPD038N06N3GATMA1TR
IPD038N06N3GATMA1DKR
IPD038N06N3 G
IPD038N06N3 G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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