Hersteller Produktnummer:
NP109N055PUJ-E1B-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP109N055PUJ-E1B-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
12860286
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NP109N055PUJ-E1B-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AUIRFS3107TRL
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3091
TEILNUMMER
AUIRFS3107TRL-DG
Einheitspreis
3.30
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