Hersteller Produktnummer:
HS54095TZ-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HS54095TZ-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 200mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12860299
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HS54095TZ-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
66 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STQ1NK60ZR-AP
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
7349
TEILNUMMER
STQ1NK60ZR-AP-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
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