Hersteller Produktnummer:
HAT2287WP-EL-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HAT2287WP-EL-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 17A 8WPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 17A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
Inventar:
12861224
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HAT2287WP-EL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-WPAK (3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
HAT2287
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDMS2672
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1825
TEILNUMMER
FDMS2672-DG
Einheitspreis
1.14
ERSATZART
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