Hersteller Produktnummer:
HAT2197R-EL-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HAT2197R-EL-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
12861239
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HAT2197R-EL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2650 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
HAT2197
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDS6670A
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2525
TEILNUMMER
FDS6670A-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
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Einheitspreis
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