FDS6670A
Hersteller Produktnummer:

FDS6670A

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDS6670A-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

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FDS6670A Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2220 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
779
Andere Namen
ONSFSCFDS6670A
2156-FDS6670AND

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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