2SK1775-E
Hersteller Produktnummer:

2SK1775-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

2SK1775-E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventar:

12858106
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2SK1775-E Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1730 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK1775

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STW7NK90Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
86
TEILNUMMER
STW7NK90Z-DG
Einheitspreis
1.75
ERSATZART
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