Hersteller Produktnummer:
2SK1775-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SK1775-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12858106
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SK1775-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1730 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK1775
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW7NK90Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
86
TEILNUMMER
STW7NK90Z-DG
Einheitspreis
1.75
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFBC30L
MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
2SK3435-Z-E1-AZ
TRANSISTOR
NTMJS0D9N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
