Hersteller Produktnummer:
UPA2815T1S-E2-AT
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
UPA2815T1S-E2-AT-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 21A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Inventar:
10000 Stück Neu Original Auf Lager
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UPA2815T1S-E2-AT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1760 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
UPA2815
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
-1161-UPA2815T1S-E2-ATCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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