2SC2853E-E
Hersteller Produktnummer:

2SC2853E-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

2SC2853E-E-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 100 mA 310MHz 400 mW Through Hole TO-92

Inventar:

35125 Stück Neu Original Auf Lager
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2SC2853E-E Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
90 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
400 @ 2mA, 12V
Leistung - Max
400 mW
Frequenz - Übergang
310MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,249
Andere Namen
RENRNS2SC2853E-E
2156-2SC2853E-E

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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