Hersteller Produktnummer:
2SC3256R
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3256R-DG
Beschreibung:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 100MHz 80 W Through Hole TO-3PB
Inventar:
2210 Stück Neu Original Auf Lager
12967459
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2SC3256R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 375mA, 7.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
Leistung - Max
80 W
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
231
Andere Namen
ONSONS2SC3256R
2156-2SC3256R
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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