PJQ5423_R2_00001
Hersteller Produktnummer:

PJQ5423_R2_00001

Product Overview

Hersteller:

Panjit International Inc.

Teilenummer:

PJQ5423_R2_00001-DG

Beschreibung:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 11A (Ta), 60A (Tc) 2W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount DFN5060-8

Inventar:

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PJQ5423_R2_00001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3228 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN5060-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
PJQ5423

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PJQ5423

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3757-PJQ5423_R2_00001TR
3757-PJQ5423_R2_00001DKR
3757-PJQ5423_R2_00001CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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