Hersteller Produktnummer:
PJP2NA70_T0_00001
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJP2NA70_T0_00001-DG
Beschreibung:
700V N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 2A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12971120
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PJP2NA70_T0_00001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PJP2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
3757-PJP2NA70_T0_00001
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHP5N80AE-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1010
TEILNUMMER
SIHP5N80AE-GE3-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
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