PJP8NA65A_T0_00001
Hersteller Produktnummer:

PJP8NA65A_T0_00001

Product Overview

Hersteller:

Panjit International Inc.

Teilenummer:

PJP8NA65A_T0_00001-DG

Beschreibung:

650V N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7.5A (Ta) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

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12972968
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PJP8NA65A_T0_00001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
145W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PJP8

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PJU8NA65A / PJD8NA65A / PJP8NA65A / PJF8NA65A

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
3757-PJP8NA65A_T0_00001

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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