Hersteller Produktnummer:
FDP045N10A-F032
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP045N10A-F032-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12972969
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDP045N10A-F032 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
263W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
488-FDP045N10A-F032
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDP4D5N10C
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
670
TEILNUMMER
FDP4D5N10C-DG
Einheitspreis
2.68
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PSMN2R0-60ES,127
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6407_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
