Hersteller Produktnummer:
AOT66613L
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOT66613L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 44.5A (Ta), 120A (Tc) 8.3W (Ta), 260W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12971140
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AOT66613L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
AlphaSGT™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44.5A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5300 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.3W (Ta), 260W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT66613
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
785-AOT66613L
5202-AOT66613L
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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