Hersteller Produktnummer:
PJC138L_R1_00001
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJC138L_R1_00001-DG
Beschreibung:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Inventar:
2566 Stück Neu Original Auf Lager
12974183
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PJC138L_R1_00001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
PJC138L
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3757-PJC138L_R1_00001TR
3757-PJC138L_R1_00001DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PJD4NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
SIR584DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
PJMF280N65E1_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
