PJMF280N65E1_T0_00001
Hersteller Produktnummer:

PJMF280N65E1_T0_00001

Product Overview

Hersteller:

Panjit International Inc.

Teilenummer:

PJMF280N65E1_T0_00001-DG

Beschreibung:

650V SUPER JUNCITON MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F

Inventar:

1998 Stück Neu Original Auf Lager
12974193
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

PJMF280N65E1_T0_00001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1040 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB-F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
PJMF280

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PJMF280N65E1

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
3757-PJMF280N65E1_T0_00001

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
onsemi

NVTFWS015P03P8ZTAG

PT8P PORTFOLIO EXPANSION

onsemi

NTTFS4C025NTAG

NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH

panjit

PJP45N06A_T0_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4460AP_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M