Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FJ4B01120L1
Product Overview
Hersteller:
Panasonic Electronic Components
Teilenummer:
FJ4B01120L1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount ULGA004-W-1010-RA01
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12864610
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FJ4B01120L1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
814 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370mW (Ta)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ULGA004-W-1010-RA01
Paket / Koffer
4-XFLGA, CSP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FJ4B01120L1
HTML-Datenblatt
FJ4B01120L1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
P123943CT
P123943TR
P123943DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
KFJ4B01120L
HERSTELLER
Nuvoton Technology Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
KFJ4B01120L-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SK8403180L
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
VN0106N3-G
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
FJ4B01100L1
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK