SK8403180L
Hersteller Produktnummer:

SK8403180L

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

SK8403180L-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSSO8-F1-B

Inventar:

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SK8403180L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 39A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1.45mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1680 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
HSSO8-F1-B
Paket / Koffer
8-PowerSMD, Flat Leads

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
P16265CT
P16265TR
P16265DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RQ3E130BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1954
TEILNUMMER
RQ3E130BNTB-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
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Teilenummer
CSD17578Q3A
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0.18
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0.46
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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