Hersteller Produktnummer:
DRA3113Z0L
Product Overview
Hersteller:
Panasonic Electronic Components
Teilenummer:
DRA3113Z0L-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 mW Surface Mount SSSMini3-F2-B
Inventar:
12861252
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DRA3113Z0L Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
SSSMini3-F2-B
Basis-Produktnummer
DRA3113
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DRA3113Z0LCT
DRA3113Z0L-DG
DRA3113Z0LTR
DRA3113Z0LDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN2119MFV(TPL3)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
RN2119MFV(TPL3)-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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