DRA2114Y0L
Hersteller Produktnummer:

DRA2114Y0L

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

DRA2114Y0L-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A MINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B

Inventar:

12861258
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DRA2114Y0L Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
MINI3-G3-B
Basis-Produktnummer
DRA2114

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRA2114Y0LTR
DRA2114Y0LDKR
DRA2114Y0LCT
DRA2114Y0L-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
MUN2111T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11729
TEILNUMMER
MUN2111T1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
PDTA114ET,235
HERSTELLER
NXP USA Inc.
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0.02
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0.01
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