Hersteller Produktnummer:
SFT1458-H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
SFT1458-H-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1A (Ta) 1W (Ta), 38W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Inventar:
12840794
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SFT1458-H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
65 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK/TP
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
SFT145
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ONSONSSFT1458-H
2156-SFT1458-H-ON
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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