NTMSD3P102R2SG

Hersteller Produktnummer:

NTMSD3P102R2SG

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTMSD3P102R2SG-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 20 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

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12840801

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NTMSD3P102R2SG Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

FETKY™

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

2.34A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

750 pF @ 16 V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

730mW (Ta)

Betriebstemperatur

-

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-SOIC

Paket / Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Basis-Produktnummer

NTMSD3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NTMSD3P102R2SG-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Andere Namen

ONSONSNTMSD3P102R2SG

2156-NTMSD3P102R2SG-ONTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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