Hersteller Produktnummer:
NVMYS6D2N06CLTWG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMYS6D2N06CLTWG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) 3.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventar:
20063 Stück Neu Original Auf Lager
12947962
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NVMYS6D2N06CLTWG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta), 71A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 53µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 61W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK4 (5x6)
Paket / Koffer
SOT-1023, 4-LFPAK
Basis-Produktnummer
NVMYS6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NVMYS6D2N06CLTWGTR
488-NVMYS6D2N06CLTWGDKR
488-NVMYS6D2N06CLTWGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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