Hersteller Produktnummer:
STD12N60DM6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD12N60DM6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
2500 Stück Neu Original Auf Lager
12947975
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STD12N60DM6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
508 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
STD12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-STD12N60DM6DKR
497-STD12N60DM6CT
497-STD12N60DM6TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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