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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NVMYS1D2N04CLTWG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMYS1D2N04CLTWG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventar:
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NVMYS1D2N04CLTWG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Ta), 258A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 180µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6330 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK4 (5x6)
Paket / Koffer
SOT-1023, 4-LFPAK
Basis-Produktnummer
NVMYS1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NVMYS1D2N04CLTWG
HTML-Datenblatt
NVMYS1D2N04CLTWG-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NVMYS1D2N04CLTWGTR
488-NVMYS1D2N04CLTWGDKR
488-NVMYS1D2N04CLTWGCT
NVMYS1D2N04CLTWG-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTMYS1D2N04CLTWG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NTMYS1D2N04CLTWG-DG
Einheitspreis
1.89
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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