Hersteller Produktnummer:
NTMYS1D2N04CLTWG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMYS1D2N04CLTWG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventar:
12859893
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
MQG6
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTMYS1D2N04CLTWG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Ta), 258A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 180µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6330 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK4 (5x6)
Paket / Koffer
SOT-1023, 4-LFPAK
Basis-Produktnummer
NTMYS1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTMYS1D2N04CLTWGOSCT
2832-NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWGOSTR
NTMYS1D2N04CLTWGOSDKR
NTMYS1D2N04CLTWG-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTD3055-150-1G
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
NP180N04TUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
NTD80N02
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
