Hersteller Produktnummer:
NVMFS6H858NWFT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMFS6H858NWFT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 8.4A (Ta), 29A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventar:
12857676
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NVMFS6H858NWFT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.4A (Ta), 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20.7mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
510 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Basis-Produktnummer
NVMFS6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NVMFS6H858NWFT1GDKR
488-NVMFS6H858NWFT1GCT
488-NVMFS6H858NWFT1GTR
NVMFS6H858NWFT1G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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